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      材料表征设备

      • 俄歇电子能谱及低能电子衍射分析系统
      俄歇电子能谱及低能电子衍射分析系统

      俄歇电子能谱及低能电子衍射分析系统

      • 产品描述:俄歇电子能谱及低能电子衍射分析系统
      俄歇电子能谱及低能电子衍射分析系统
      俄歇电子能谱及低能电子衍射分析系统,又称俄歇电子能谱AES及低能电子衍射LEED样品表面深度分析系统。基于俄歇电子能谱AES、低能电子衍射LEED、及氩离子溅射深度分布的分析系统,完成对薄膜及合金的元素组成和深度分布的分析。
      非接触式测量薄膜及合金元素组成。
      带样品预抽真空室 (load-lock腔室)。

      特性:
      -对原子结构,元素组成和厚度分析达到“亚纳米级”精度
      -大范围样品分析
      -半自动化操作


      系统特性
      俄歇电子能谱AES分析器
      分析器型号-延迟型区域分析器,自带同轴电子枪
      能量分辨率:<5%
      工作距离 10mm
      检测器: 1e7至1e8增幅范围的电子倍增器通道
      安装法兰-4.5英寸O.D.标准CF法兰(NW63CF)

      电子枪:
      型号 :带可调焦距和束斑直径的双静电透镜
      束流电压:0-3KV
      束流电流:最大50uA
      束流直径:最大800um
      灯丝:钨灯丝
      磁罩:带前置保护壳的Mu罩

      深度离子溅射枪
      离子源  在磁场内电子冲击形成离子
      离子化阴极  钨-铼灯丝
      直接安装于70mmO.D.CF法兰
      束流电流:最大10 uA
      束流能量:0-3keV
      束流尺寸;直径范围5至25mm
      束流均匀度:<5%
      气体输入:经过泄漏阀气体直接输入至离子源
      安装法兰:23/4英寸(70mm)O.D.CF法兰

      样品传递操作
      样品尺寸:尺寸从10mm-20mm
      样品置入:单个样品置入
      样品传输:线型磁动样品传输臂

      真空系统
      腔体:100mm焊接超高真空腔体(304不锈钢)
      真空泵:60L/sec离子泵和50l/sec的分子泵,配备匹配的前级泵
      真空规:宽量程真空规

      真空兼容:超高真空材料
      烘烤:真空下可最高烘烤至250度
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